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La estructura de Disilicon Lewis es una diatómica lineal con un enlace apolar entre sus dos átomos; debido a que los dos átomos son idénticos, disilicón es apolar.
Figura 1: Estructura de Lewis de disilicón (Si2)
| Fórmula química | Si2 |
| Número CAS | 15660-01-2 |
| Total de electrones de valencia | 8 |
| Estructura de Lewis | Molécula diatómica lineal con un triple enlace. |
| Geometría electrónica | lineal |
| Geometría molecular | lineal (diatómico) |
| Modelo de hibridación | sp |
| Ángulo de enlace | 180° |
| Polaridad | Molécula apolar |
El disilicon se encuentra como reactivo, producto químico intermedio o especializado en síntesis de materiales inorgánicos, organometálicos y. Confirme el grado, la pureza y la documentación del proveedor (SDS) antes de especificar un proceso.
Para dibujar la estructura disilicón de Lewis, primero contamos el total de electrones de valencia. Si2 contiene 2×4 (Si); la carga neta de 0 da un total de 8 electrones de valencia para colocar.
El átomo central es Si. Es el átomo menos electronegativo capaz de formar enlaces múltiples y está rodeado por los átomos terminales más electronegativos; El hidrógeno, cuando está presente, siempre ocupa una posición terminal. Las consideraciones de electronegatividad sitúan la densidad electrónica hacia los átomos terminales.
Electrones de valencia totales = 2×4 (Si) = 8 electrones.
Coloque Si en el centro y conecte cada átomo circundante con un enlace simple, complete los octetos en los átomos terminales y coloque los electrones restantes en el átomo central. La distribución de electrones resultante es: molécula diatómica lineal con un triple enlace.
Por lo tanto, contar los electrones enlazantes y no enlazantes alrededor del Si satisface el requisito de octeto/octeto expandido para la estructura dibujada.
La teoría VSEPR establece que los dominios de electrones 2 alrededor del Si se organizan para minimizar la repulsión mutua, dando una geometría de dominio de electrones lineal.
Debido a que 0 de estos dominios son pares solitarios (y los pares solitarios se repelen más fuertemente que los pares enlazantes), la geometría molecular observada es lineal (diatómica); el ángulo del enlace Si se establece en 180° en lugar del valor ideal para la geometría del dominio electrónico.
Una aproximación VSEPR útil es: repulsión de par solitario-par solitario > repulsión de par solitario-par enlazante > repulsión de par enlazante-par enlazante. Con 0 pares solitarios en Si, los dominios de pares solitarios ocupan posiciones que minimizan la repulsión general al tiempo que acercan los dominios de enlace (y por lo tanto los átomos unidos).
En el modelo convencional de enlace localizado, Si utiliza orbitales híbridos sp para formar las direcciones equivalentes 2 del dominio electrónico (1 enlace + 0 par solitario).
Carga formal en Si central = V − N − ½B = 4 − 0 − ½×6 = 1. La carga formal distinta de cero se distribuye por resonancia/separación de carga; la estructura dibujada es la que contribuye con menor energía.
Disilicon es apolar. Aunque los enlaces individuales Si-terminales son polares cuando los átomos difieren en electronegatividad, la geometría lineal (diatómica) hace que su suma vectorial sea cero, por lo que no hay un dipolo molecular neto.
Un error común es creer que los enlaces polares garantizan una molécula polar. Disilicón muestra lo contrario: dipolos de enlace idénticos dispuestos con simetría lineal (diatómica) se cancelan exactamente, produciendo una especie apolar.
Interpretación consistente con referencias estándar VSEPR/geometría molecular.Su carácter apolar gobierna la solvatación y el comportamiento intermolecular; especifique el grado y el manejo al realizar el abastecimiento.
| Especies | Fórmula | Átomo central | Dominios de electrones | Geometría molecular | Polaridad |
|---|---|---|---|---|---|
| Disilicón | Si2 | Si | 2 | lineal (diatómico) | Apolar |
| tetrafluoruro de silicio | F4Si | Si | 4 | tetraédrica | Apolar |
| silano | H4Si | Si | 4 | tetraédrica | Apolar |
Disilicon es apolar. Su simetría lineal (diatómica) cancela exactamente los dipolos de enlace.
molécula diatómica lineal con un triple enlace. Utiliza todos los 8 electrones de valencia y la estructura preferida lleva una carga formal de 1 en el átomo central.
El ángulo Si es aproximadamente 180°. La repulsión de par solitario comprime el ángulo desde el valor lineal ideal.
El modelo convencional es sp. disilicón tiene 2 dominios electrónicos alrededor del Si central.
El número CAS es 15660-01-2. PubChem (CID 6327126) y NIST lo identifica con Si2; Úselo para localizar proveedores y registros de bases de datos.
Alcance técnico: Las estructuras de Lewis, VSEPR y la hibridación son descripciones basadas en modelos para la comunicación química y la predicción de estructuras; La estructura electrónica molecular real se representa con mayor precisión mediante métodos de orbitales moleculares y de química cuántica. Los grados comerciales varían sustancialmente según el proveedor y el uso previsto; CAS 15660-01-2 identifica la sustancia, no una especificación de pureza universal.
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