ヘキサメチルジシラン

最近の市場インテリジェンスレポート：ヘキサメチルジシラン（HMDS）

I. 価格動向
1. 基本価格情報
- 2026年6月13日および6月21日時点において、山東省で生産された国産ヘキサメチルジシラン（純度≥99％）の市場価格は、1トンあたり人民元24,000元で安定しています。
- 2026年7月11日時点において、HMDSと密接な関係を持つ誘導体であるヘキサメチルジシラザン（HMDS）の価格は、1トンあたり人民元29,000元で安定しています。過去3か月間の最高価格は1トンあたり人民元29,000元、最低価格は1トンあたり人民元24,000元であり、現行価格は上位～中位レベルに位置しています。

2. セグメント別価格差異
- 工業用グレードHMDS：最近の価格は1トンあたり人民元30,000元前後で安定しており、一部メーカー間では小幅な見積もり変動が見られます。
- 電子用グレードHMDS：価格は依然として高水準を維持しており、一部サプライヤーによる見積もりは1トンあたり人民元80,000元を超えています。現在の価格帯は人民元75,000～85,000元へと狭まっています。

II. 市場の需給状況および生産能力
1. 供給側
- 国内生産能力：中国におけるヘキサメチルジシランの年間総生産能力は1,500トンを突破し、国内自給率は75％に達しています。電子用グレード製品は、総生産量の70％以上を占めるようになりました。
- 産業立地状況：全国の生産能力の65％以上が長江デルタ地域に集中しています。主要企業には江蘇新材料科技有限公司、浙江シリコンソース有限公司、成都コアシリコン有限公司などがあり、上位3社の市場シェアは合計で60％を超えています。
- 運用率：HMDS産業全体の設備稼働率は約80％で推移していますが、高純度製品の生産能力増強には依然として時間がかかります。

2. 需給側
- 半導体用途：HMDSは、パッシベーション層の堆積およびフォトレジスト改質に不可欠な材料であり、需要全体の65％を占めています。その内訳はロジックチップ（45％）およびメモリチップ（27％）が主な需要源です。
- 新興用途：第3世代半導体（SiC／GaN）および先進パッケージング（2.5D／3D）が新たな成長エンジンとなっています。2025年には、自動車向けSiCエピタキシーに使用される超超高純度HMDSに対する需要が急増し、リンおよびホウ素不純物の制御水準は「パーツ・パー・トラリオン（ppt）未満」が求められています。
- 伝統的用途：有機シリコンおよび医薬品分野における着実な成長が、HMDS消費量の漸進的拡大を引き続き支えています。

III. 政策および産業動向
1. 政策要因
- 国産化加速：米中技術摩擦により、輸入代替が加速しています。2024年に米商務省産業安全保障局（BIS）が発表した輸出規制措置を受けて、国際大手メーカーが中国への供給を停止した結果、国内HMDSの12インチウエハー製造工場における検証通過率は2022年の41％から2025年には79％へと上昇しました。
- 環境規制対応：「カーボンピーク」と「カーボンニュートラル」を掲げる中国の「ダブルカーボン政策」により、企業の環境投資額は総資本支出の40～45％に達しており、危険性の高いグリニャール試薬法に代わる塩化メチル法などのより環境配慮型合成プロセスの採用が促進されています。また、RTO／RCO排気処理システムおよびオンラインICP-MS監視技術の広範な導入も進んでいます。

2. 技術進化
- 超高純度技術：パラジウム・グラフェン吸着および超臨界流体抽出が主流の精製技術となっており、2030年までにCO₂排出量を1トンあたり1.5トンCO₂当量以下へ削減する目標が設定されています。
- スマート製造：AIを活用したエネルギー最適化およびデジタルツイン工場の導入が、生産効率の向上とコスト削減を実現しています。

IV. 分析・展望および予測
1. 短期的な価格動向
- 工業用グレードHMDS：国内の高純度HMDS生産量増加の影響により価格下落圧力に直面していますが、下落幅は限定的と予想されます。価格は人民元22,000～25,000元／トンのレンジで安定すると見込まれます。
- 電子用グレードHMDS：継続的な輸入代替の進展および高付加価値需要の堅調さにより、価格は高水準を維持し、ボラティリティの範囲はさらに縮小して人民元75,000～85,000元／トンとなる見込みです。

2. 中長期的な市場展望
- ベースケースシナリオ：2030年までに総生産能力は1,500トン／年となり、国内自給率は75％で維持され、市場規模は人民元20億元を超えると予測されます。また、高純度製品のシェアは40％以上へと上昇します。
- オプティミスティック・シナリオ：2nmノードにおける技術的ブレイクスルーの実現やペロブスカイト太陽電池の急速な商用化が達成されれば、生産能力は2,000トン／年を超える可能性があり、高付加価値製品の浸透率は30％を超え、世界市場におけるシェアも大幅に拡大します。
- ストレスシナリオ：地政学的制裁およびtert-ブチルジメチルシリルクロライド（TBSMS）やフッ素化シリラン自己組織化単分子膜（SAMs）といった代替品の採用加速により、価格変動が一段と激しくなる恐れがあります。そのため、企業は技術的独自性、ESG経営およびグローバル規制への適合性を軸とした競争的優位性の構築が不可欠です。

3. リスクおよび機会
- リスク要因：地政学的紛争、原材料供給の不安定性、そして厳格化する環境規制などが、短期的な供給安定性を損なう可能性があります。
- 機会要因：国家主導の半導体サプライチェーン自律化イニシアチブに加え、SiC／GaNパワーデバイスおよび先進パッケージングといった新興分野の爆発的成長が、長期にわたる堅調な需要を継続的に支えるでしょう。